한밭대학교공용장비지원센터

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급속 열처리 장치 기자재 정보
기자재명 급속 열처리 장치 (Rapid Thermal Annealing System)
사진  사진
모델명 RtON2000
분류 반도체소재부품장비센터
제조사 (주)브이티에스
상태 신청가능
분석료 장비분석료:

* 100,000원/회 (10분 이내)

* Max. Temperature : 900℃

* Heating up ratr : 5 ~ 150℃/sec

* Cooling rate : 50~ 500℃
규격 1. Max. Temperature : 1,200℃ within 20sec

2. Heating up rate : 5~150 ℃/sec

3. Cooling rate : 50 ℃/sec

4. Alloying range : 50 ~ 500 ℃

5. Annealing range : 300 ~ 900 ℃

6. Steady-state stability : ≤±1℃

7. Uniformity : ≤±1% @ set point

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